삼성전자 D램, 50나노의 벽을 넘다

 

삼성전자 D램, 50나노의 벽을 넘다

[연합뉴스] 2006년 10월 19일(목) 오후 12:25

D램 '제2의 중흥기' 주도(서울=연합뉴스) 강영두 기자 = D램도 드디어 50나노 시대에 돌입했다.

삼성전자는 19일 세계 최초로 50나노 기술을 적용한 세계 최소형 1기가바이트(GB) D램 제품 개발 소식을 발표했다.

이로써 삼성전자는 2000년 150나노 기술을 시작으로 2001년 130나노, 2002년 100나노와 90나노, 2004년 80나노, 2005년 60나노에 이어 올해 50나노 기술까지 7세대 연속 D램 미세공정 개발을 선도했다.

삼성전자는 특히 50나노 기술을 통해 D램의 '제2의 중흥기'를 이끌어간다는 전략이다.

◇ 어떤 기술 적용됐나 = D램은 구조적으로 트랜지스터, 캐패시터(데이트 저장 장소) 등 낸드플래시보다 많은 부품이 내부에 들어가기 때문에 그동안 D램업체들은 50나노 공정 개발에 있어 수많은 난관에 부딪혔다.

그러나 삼성전자는 'RCAT(Recess Channel Array Transistor)'와 'SEG(Selective Epitaxial Growth)'라는 혁신적인 3차원 트랜지스터 구조를 함께 적용함으로써 50나노 제품 구현에 성공했다.

RCAT 기술은 D램 셀(cell)의 트랜지스터를 3차원 방식으로 제작, 면적을 최소화함으로써 집적도를 더욱 높이는 신개념 기술로 2003년 개발돼 90나노 제품부터 전면 적용되고 있다.

또 SEG 기술은 전하(電荷) 이동 속도 개선과 저전력 구동을 가능하게 하는 최첨단 공정 기술로 이번 50나노 D램 제품에 처음으로 적용된다.

삼선전자는 여기에 D램이 또한 50나노 이하급까지 회로 구조가 미세화되면 셀 면적 축소에 따라 소자 구동을 위한 충분한 전하량을 얻기 어려운 문제를 극복하기 위해 전하가 저장되는 유전막질에 '복합 유전층'이라는 신소재를 채용함으로써 캐패시터의 전하 저장 능력을 극대화해 D램 구동을 위한 필요 전하량을 확보할 수 있도록 했다.

삼성전자는 이 밖에 기존 D램 셀의 최소면적을 기존보다 25% 줄인 '6F²' 기술을 50나노 D램에 적용했다.

◇ 'D램 제2의 중흥기' 견인 = 이에 따라 50나노 기술이 적용된 제품은 초고속 동작은 물론 저소비 전력 특성까지 갖추게 됨으로써 향후 대용량 PC용 D램뿐 아니라 그래픽 D램, 모바일 D램 등 모든 D램 제품에 적용될 것으로 보인다.

이에 따라 삼성전자는 50나노 기술이 올해말 마이크로소프트의 새 운영체계(OS)인 '윈도 비스타' 출시와 함께 예상되는 D램 부흥기를 이끌 성장 동력이 될 것으로 기대하고 있다.

향후 D램 산업은 윈도 비스타 출시와 응용처(Application) 다양화 추세로 앞으로 수년간 1995년 이후 최대 호황기를 맞이할 전망이다.

특히 윈도 비스타는 권장 메모리가 기존 128메가바이트에서 1기가바이트로 확장됨에 따라 향후 D램 시장 확대에 미치는 파괴력이 그 어느 때보다 클 것으로 예상된다.

현재 D램 매출 세계 1위인 삼성전자는 50나노 기술을 다른 업체들에 비해 선행 개발함으로써 D램 신시장 창출의 핵심인 질적 경쟁력을 확보하게 됐다는 분석이다.

삼성전자는 50나노 D램 제품이 출시되는 2008년 50억달러, 이후 4년간 550억달러 규모로 예상되는 50나노 시장을 선점할 수 있을 것으로 전망하고 있다.

삼성전자 반도체총괄 조남용 부사장은 "D램 수요처가 PC는 물론 모바일, 디지털 소비자 가전, 게임기 등 IT 산업 전분야에 빠르게 확산중인 데다 윈도 비스타 효과까지 가세하는 시점에 50나노 제품을 개발해 어느 때보다 의미가 크다"고 말했다.